|
|
|
| Модули полупроводниковые силовые / IGBT |
Модули полупроводниковые
на
силовых биполярных транзисторах
с изолированным затвором (IGBT)
| SG |
G |
100 |
- |
12 |
C |
S |
1 |
| |
1 |
2 |
|
3 |
4 |
5 |
6 |
| 1 |
Силовые биполярные транзисторы
с изолированным затвором |
IGBT |
| 2 |
Ток |
50: 50 A
75: 75 A
100: 100 A |
| 3 |
Напряжение |
06: 600 V
12: 1200 V
17: 1700V |
| 4 |
? |
C
R
L
4
5
6
7
9 |
| 5 |
Структура |
S: SPT-IGBT
N: NPT-IGBT |
| 6 |
Рис. |
1, 2, 3... |
SGG*-*CS*
SGG*-*RS*
SGG*-*LS* |
50 A
75 A
100 A
145 A |
600 V
1200 V
1700 V |
1 |
 |
схема |
SGG*-*CS*
SGG*-*RS*
SGG*-*LS* |
150 A
200 A
300 A
400 A |
600 V
1200 V
1700 V |
2 |
 |
схема |
SGG*-*4S3
SGG*-*5S3
SGG*-*6S3
SGG*-*7S3
SGG*-*9S3 |
10 A
15 A
25 A
40 A |
600 V
1200 V
1700 V |
3 |
 |
схема |
SGG*-*4S3
SGG*-*5S3
SGG*-*6S3
SGG*-*7S3 |
25 A
50 A |
SGG*-*4S3
SGG*-*6S3 |
50 A
75 A |
|
|
|
|
|
- Цены, опубликованные в Магазине, могут не являться окончательными и предназначены только для предварительного ознакомления.
Информацию о наличии товаров и свежих ценах уточняйте у менеджеров, они устанавливают окончательные цены при оформлении заказа в зависимости от количества товара и истории клиента. Или нажмите ссылку:
sales@dart.ru
- Представленная техническая информация и размеры на чертежах, опубликованных на сайте, носят справочный характер и не предназначены для использования в конструкторской документации без согласования с нами.
Для получения актуализированной технической информации нажмите ссылку:
alex@dart.ru
- Возможность поставки товаров, где не указан код товара, уточняйте у наших менеджеров.
- Перед закладкой компонентов в серийные изделия необходимо запрашивать образцы!
|
|
|
|
|
